多晶硅生产流程　　

（1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅，银水银线回收厂家， 其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑

（2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水氯化氢（HCl）与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的（SiHCl3）。 其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑ 反应温度为300度，该反应是放热的。同时形成气态混合物（Н2，НС1，SiНС13，SiC14，Si）。

（3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解：过滤硅粉，冷凝SiНС13，SiC14，而气态Н2，НС1返回到反应中或排放到大气中。然后分解冷凝物SiНС13，SiC14，净化（多级精馏）。

（4）净化后的采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。 其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl。

多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。 这样大约三分之一的发生反应，并生成多晶硅。剩余部分同Н2，НС1，SiНС13，SiC14从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该工艺的竞争力。

逆变器的理想设计

理想的逆变器，从直流变到交流的功率总是一定的值而没有脉动，直流电源波形和电流波形中也不应该产生脉动;而在实际的

逆变电路中，因为逆变器的脉动数等有限制，因而逆变功率P是脉动的。当逆变器的逆变功率p的脉动波形由直流电流来体现时，称之为电压型逆变器。电压型逆变 器的特点是:

1)直流侧有较大的直流滤波电容。

2)当负级功率因致变化时，交流输出电压的波形不变，即交流输出电压波形与负载无关。交流 输出电压的波形，通过逆变开关的动作被直流电源电容上的电压钳位成方波。

3)在逆变器中，与逆变开关并联有反馈二极管，所以交流电压与负载无关， 是方波。

4)输出电流的相位随负载功率因数的变化而变化，换向是在同桥臂开关管之间进行的。

5)可以通过控制输出电压的幅值和波形来控制 其输出电压。

在这个逆变器设计中，+20V电源首先用来推动微型处理器，并且管理不同的电路。有关代码的实现，这个逆变器解决方案中采用的8位微型控制器PIC18F1320会为IGBT驱动器产生信号，由此提供用来驱动IGBT的信号。以先进高电压IC工艺过程 (G5 HVIC)以及锁存CMOS技术的栅极驱动器集成高电压转换和终端技术，使驱动器能够从微型控制器的低电压输入产生适当的栅极驱动信号。有关的逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出相容，逻辑电压可低至3.3V。

超高速二极管D1和D2提供路径来把电容器C2及C3充电，并且确保高侧驱动器获得正确的动力。图3描绘出相关的输出波形。如图所示，在正输出半周期内，高侧IGBT Q1经过正弦PWM调制，但低侧Q4就保持开通状况。同样地，在负输出半周期内，高侧Q2经过正弦PWM调制，而低侧Q3则保持开通状况。这种开关技术在输出LC滤波器之后，于电容器C4的两端提供60Hz交流正弦波。